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STD12N65M2

功能描述：MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? M2

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：16.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：535pF @ 100V

功率 - 最大值：85W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

标准包装：1

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